四(二甲基氨基)铪(IV) | 19782-68-4
铪类氨基金属化合物主要用作CVD和ALD的前驱体材料,用于沉积铪的前驱物,制备铪氧化物薄膜;
可作为COMS和下一代DRAM的高k绝缘材料,广泛应用于45nm下直至7nm技术等先进CMOS集成电路技术中;
应用于新型阻变/忆阻器件(RRAM)研究中,展现出良好的微缩特性,还可在10nm尺度下保持良好的阻变特性;
在铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件制造方面同样具有良好的微缩特性,能够为类脑型神经形态计算等变革性技术研究与发展提供新的途径;
替代二氧化硅,作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极。
可作为COMS和下一代DRAM的高k绝缘材料,广泛应用于45nm下直至7nm技术等先进CMOS集成电路技术中;
应用于新型阻变/忆阻器件(RRAM)研究中,展现出良好的微缩特性,还可在10nm尺度下保持良好的阻变特性;
在铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件制造方面同样具有良好的微缩特性,能够为类脑型神经形态计算等变革性技术研究与发展提供新的途径;
替代二氧化硅,作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极。
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中文名:四(二甲基氨基)铪(IV)
外文名:Tetrakis (dimethylamino) hafnium (IV)
化学式:Hf[N(CH3)2]4
分子量:354.796
CAS号:19782-68-4
熔点:26-29 °C
沸点:85 °C闪点:109 °F
密度:1.098 g/mL at 25 °C
外观:白色至灰白色晶体
存储条件:无水无氧