在半导体制造过程中可用于沉积氧化铝层、氮化铝，作为DRAM电容器电介质、高k栅极电介质使用；在OLED薄膜封装中可用于水汽阻隔薄膜涂层、气体扩散阻隔膜制作；还可用于太阳能电池中硅表面钝化层。

三甲基铟是含铟化合物半导体、金属有机气相外延材料、铟催化剂的主要金属有机源，广泛应用于LED芯片、聚光光伏电池等领域。

三乙基铟可作为金属有机化学气相沉积(MOCVD)、金属有机分子束的铟源，广泛应用于电子工业中制造红外控测器、微波振荡器、半导体光发射二级管等的核心原件。

三甲基镓可用于制备聚光光伏电池；作为制造LED、GaAs、AsGaAl 等电子元件和半导体化合物的镓源；是生产LED和其他相关高科技光电材料的必备原料。

三乙基镓主要应用在电子信息产业中；可用于化学气相沉积、化学束外延领域，生产InGaAs、InGaP、InGaAsN等光电材料；还可用于发光二极管、激光二极管、传感器、聚光光伏电池等产品制造。

可作为催化剂用于医药中间体合成以及烯烃齐聚反应；还可作为六羰基铬合成的前驱体。

无水三氯化铬是有机金属化学中的重要原料，可用于制备多种有机铬化物；工业上主要用作媒染剂和催化剂；在有机合成中作为还原剂使用；其路易斯酸性可以用于催化某些反应，例如用亚硝基化合物作亲双烯体的狄尔斯-阿尔德反应。

六氯化钨可用于气相沉积法镀钨膜；还可用于制取单晶钨丝、合成六羰基钨、作玻璃表面导电层；可作烯烃聚合催化剂；可用作光谱纯试剂。

催化剂领域：可用作酰基化、醇酸酯化、烯烃聚合等反应的催化剂；还可与有机物形成络合物；还可用作石油催化裂化的催化剂，与沥青质或烃类物质形成络合物，促进石油的裂化反应；
金属表面处理：可用于钢铁、铜、铝等金属的腐蚀防护。
电子材料制备：作为前驱体用于半导体、超高温陶瓷、大功率LED、原子反应堆等领域；
医药领域：可用于氨基膦酸酯等抗癌、抗炎药物的合成和制备。

水合三氯化钌可以用作干燥剂、吸附剂；可作为许多有机物的聚合、异构化、加氢等反应的催化剂，常用于多相催化或均相催化；能够与许多试剂反应生成多种络合物；还可以作为电镀、电解阳极。

五氯化钨主要用于催化剂、催化反应的催化剂。
可以用于有机合成中的氧化、加氢和氯化反应。
五氯化钨也可以用于染料合成、杀菌剂和金属表面处理等领域。

可作为TaN的前驱体，具有优良的导电性能，可用于半导体器件的电极部分的制造；在半导体后段工艺中作为扩散阻挡层使用；也可用于光伏电池正极的金属化；在45nm以下CMOS工艺中作为金属栅极材料前驱体使用；
可用于制备Ta2O5，具有较高的介电常数，可作为动态随机存储器(DRAM)、减反膜、高温阻抗、气敏传感器、电容器、高折射低色散特种光学玻璃、航空领域的高温特种陶瓷的关键材料；
可选择性催化合成更高立体选择性的手性药物；
在酶催化反应中提供额外的氧源，提高反应效率和稳定性；
作为新型载体材料，可调节催化剂的理化性质，实现药物的传递和释放。

TDMAT是现下ALD和CVD领域的研究热点；
可作为TiO2的前驱体材料；
TiO2是32nm以下技术中十分重要的高k和金属栅极材料，可作为n型半导体的电子运输层材料；与其他化合物掺杂，可得到具有超高的介电常数和低的介电损耗的介质材料，能够用于电容器和随机动态存储器的小型器件制造；
TiO2层可制备成介孔结构和致密的复合结构，能够改善钙钛矿层的成膜性能；
纳米TiO2可作为光触媒材料，彻底降解水中的有机污染物；
TiO2与氧化铟交替层叠排列的薄膜晶体管会有更高的电学性能；
氧化钛涂层还可在太空空间站作为抗菌涂层；
TDMAT还可沉积得到TiN/TiO2纳米复合膜，用作牙科用阶梯降解屏障；
TDMAT与NH3共同进行等离子增强原子层沉积可获得TiN纳米薄膜， 可用于真空电子器件领域，抑制表面二次电子发射现象，提升空间飞行器及其部件的性能。

铪类氨基金属化合物主要用作CVD和ALD的前驱体材料，用于沉积铪的前驱物，制备铪氧化物薄膜;
可作为COMS和下一代DRAM的高k绝缘材料，广泛应用于45nm下直至7nm技术等先进CMOS集成电路技术中；
应用于新型阻变/忆阻器件(RRAM)研究中，展现出良好的微缩特性，还可在10nm尺度下保持良好的阻变特性；
在铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件制造方面同样具有良好的微缩特性，能够为类脑型神经形态计算等变革性技术研究与发展提供新的途径；
替代二氧化硅，作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极。

铪类氨基金属化合物主要用作CVD和ALD的前驱体材料，用于沉积铪的前驱物，制备铪氧化物薄膜;
可作为COMS和下一代DRAM的高k绝缘材料，广泛应用于45nm下直至7nm技术等先进CMOS集成电路技术中；
应用于新型阻变/忆阻器件(RRAM)研究中，展现出良好的微缩特性，还可在10nm尺度下保持良好的阻变特性；
在铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件制造方面同样具有良好的微缩特性，能够为类脑型神经形态计算等变革性技术研究与发展提供新的途径；
替代二氧化硅，作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极。

铪类氨基金属化合物主要用作CVD和ALD的前驱体材料，用于沉积铪的前驱物，制备铪氧化物薄膜;
可作为COMS和下一代DRAM的高k绝缘材料，广泛应用于45nm下直至7nm技术等先进CMOS集成电路技术中；
应用于新型阻变/忆阻器件(RRAM)研究中，展现出良好的微缩特性，还可在10nm尺度下保持良好的阻变特性；
在铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件制造方面同样具有良好的微缩特性，能够为类脑型神经形态计算等变革性技术研究与发展提供新的途径；
替代二氧化硅，作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极。

锆类氨基金属化合物主要用于CVD、ALD、等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺，是生产ZrO2的前驱体；
ZrO2在45nm晶体管的制备中代替二氧化硅，可以显著减少漏电量，还是COMS和动态存储的高k绝缘材料，是目前解决动态存储和高清显示技术难题的最优选材料之一；
可作阻变存储器的介质层前驱体；
可作锂离子电池正极包覆沉积前驱体。