四(二甲基氨基)钛(IV) | 3275-24-9

TDMAT是现下ALD和CVD领域的研究热点；
可作为TiO2的前驱体材料；
TiO2是32nm以下技术中十分重要的高k和金属栅极材料，可作为n型半导体的电子运输层材料；与其他化合物掺杂，可得到具有超高的介电常数和低的介电损耗的介质材料，能够用于电容器和随机动态存储器的小型器件制造；
TiO2层可制备成介孔结构和致密的复合结构，能够改善钙钛矿层的成膜性能；
纳米TiO2可作为光触媒材料，彻底降解水中的有机污染物；
TiO2与氧化铟交替层叠排列的薄膜晶体管会有更高的电学性能；
氧化钛涂层还可在太空空间站作为抗菌涂层；
TDMAT还可沉积得到TiN/TiO2纳米复合膜，用作牙科用阶梯降解屏障；
TDMAT与NH3共同进行等离子增强原子层沉积可获得TiN纳米薄膜， 可用于真空电子器件领域，抑制表面二次电子发射现象，提升空间飞行器及其部件的性能。