四(二乙基氨基)铪(IV) | 19824-55-6

铪类氨基金属化合物主要用作CVD和ALD的前驱体材料，用于沉积铪的前驱物，制备铪氧化物薄膜;
可作为COMS和下一代DRAM的高k绝缘材料，广泛应用于45nm下直至7nm技术等先进CMOS集成电路技术中；
应用于新型阻变/忆阻器件(RRAM)研究中，展现出良好的微缩特性，还可在10nm尺度下保持良好的阻变特性；
在铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件制造方面同样具有良好的微缩特性，能够为类脑型神经形态计算等变革性技术研究与发展提供新的途径；
替代二氧化硅，作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极。